Titandisilizid, TiSi2

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Titandisilizid, TiSi2

Titansilizidleistung: Hervorragende Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Verwendung als hitzebeständige Materialien, Hochtemperaturheizkörper usw.


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Titansilizid, Molekulargewicht: 116,1333, CAS-Nr.: 12039-83-7, MDL-Nr.: Mfcd01310208

EINECS Nr.: 234-904-3.

Titansilizidleistung: Hervorragende Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Verwendung als hitzebeständige Materialien, Hochtemperaturheizkörper usw. Titansilizid wird häufig bei Gate-, Source / Drain-, Interconnection- und ohmschen Kontakten von Metalloxidhalbleitern (MOS) verwendet. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM)

1) Eine Titansilizid-Barriereschicht wird hergestellt. Die Vorrichtung, die das Herstellungsverfahren der Titansilizid-Barriereschicht anwendet, umfasst einen Nicht-Silizid-Bereich und einen Silizid-Bereich, die durch einen Isolationsbereich getrennt sind, und die Oberseite der Vorrichtung ist mit einer Opferoxidschicht bedeckt.

2) Eine Art in situ synthetisierter Titansilizid (Ti5Si3) -Partikel-verstärkter Aluminium-Titancarbid (Ti3AlC2) -Matrix-Verbundstoff wurde hergestellt. Das Aluminium-Titancarbid / Titansilizid-Verbundmaterial mit hoher Reinheit und hoher Festigkeit kann bei einer niedrigeren Temperatur und einer kürzeren Zeit hergestellt werden.

3) Verbundfunktionelles Titansilizid-beschichtetes Glas wurde hergestellt. Ein dünner Film wird auf einem gemeinsamen Floatglassubstrat abgeschieden oder ein Siliziumfilm wird zwischen ihnen abgeschieden. Die mechanische Festigkeit und chemische Korrosionsbeständigkeit des beschichteten Glases kann verbessert werden, indem der Verbundfilm aus Titansilizid und Siliciumcarbid hergestellt oder dem Film eine kleine Menge Aktivkohle oder Stickstoff zugesetzt wird. Die Erfindung betrifft einen neuen Typ von beschichtetem Glas, der die Funktionen von Dimmen und Wärmeisolierung und Glas mit geringer Strahlung kombiniert.4) Es wird ein Halbleiterelement hergestellt, das ein Siliziumsubstrat enthält, auf dem ein Gate, eine Source und ein Drain gebildet sind wird eine Isolierschicht zwischen dem Gate und dem Siliziumsubstrat gebildet, das Gate besteht aus einer Polysiliciumschicht auf der Isolierschicht und einer Titansilizidschicht auf der Polysiliciumschicht, eine Schutzschicht wird auf der Titansilizidschicht gebildet und die Schutzschicht Schicht, die Titansilizidschicht, die Polysiliciumschicht und die Isolierschicht sind umgeben von Es gibt drei Schichten der Strukturschicht, die eine Siliziumnitridspaltwandschicht, eine hydrophile Schicht und eine Siliziumoxidspaltwandschicht von innen nach außen sind. Die Titansilizidschicht wird auf der Source- und Drainelektrode gebildet, die dielektrische Schicht der inneren Schicht wird auf dem Siliziumsubstrat gebildet und die Kontaktfensteröffnung wird in der dielektrischen Schicht der inneren Schicht gebildet. Durch Übernahme des technischen Schemas kann das Gebrauchsmuster die Gitterelektrode und den Draht im Kontaktfenster vollständig isolieren, und es tritt kein Kurzschlussphänomen auf.

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